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UT6264CSC-70LL
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
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UT6264CSC-70LL
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
ETC [ETC]
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具體介紹法拉電容在單片機系統的ram數據保護中的應用,為嵌入式系統中ram數據保護提供一種可行的參考方法。 某一采用ut6264c-70ll作為ram的單片機系統,在系統掉電后,要求ram的數據后備時間達到5天。 1 硬件設計 采用法拉電容作為ram后備電源,法拉電容后備時間的典型計算公式為: 式中:c(f)為法拉電容的標稱容量,umin(v)為電路中的正常工作電壓,umin(v)為電路能工作的最低電壓,t(s)為電路中后備時間,i(a)為電路的負載電流。 ut6264csc-70ll的典型數據保持電流為1 μa,工作電壓為5 v,數據保持所需電壓最低為2 v。取0.1 f的法拉電容,計算得到ram的數據后備時間為3.35天。而實際上,當ram的電源電壓降低時,其數據保持電流將減小,因而后備時間可以延長。 另外,電源出現波動時,ram的片選引腳、寫使能引腳及數據線端口也容易引入干擾或不正常的控制時序,從而破壞ram中的數據。因此,需要通過電路設計,確保電源不正常時讀寫控制端口時序可控,從而增強ram數據的安全。電路原理圖如圖1所示。 當電源正常時,5 v電