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阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員 可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。 來源:風中的葉子
sfet降低30%，設計人員可 以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3™技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
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