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SI7866ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SI7866ADP-T1-E3PDF下載
。除or-ing應用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導更多電流,從而可減少應用所需的器件數。在需要冗余電路的交流或直流開關模式電源中,這可實現通過12v的軌電壓拓撲結構增加功率密度。 為在靜止空氣環境中實現最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結合。最大結到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導通
8毫歐。除or-ing應用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導更多電流,從而可減少應用所需的器件數。在需要冗余電路的交流或直流開關模式電源中,這可實現通過12v的軌電壓拓撲結構增加功率密度。 為在靜止空氣環境中實現最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結合。最大結到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導通電阻。
用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉換電路。 對于低壓電源,在采用 so-8 封裝的器件中,si4398dy具有最佳的 rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率 mosfet 可在相同占位面積中傳導更多電流,從而可減少應用所需的器件數。在需要冗余電路的交流或直流開關模式電源中,這可實現通過 12v 的軌電壓拓撲結構增加功率密度。 為在靜止空氣環境中實現最佳散熱效果,vishay 正在推出采用熱增強型 powerpak® so-8 封裝的si7866adp。si7866adp在 10v 時最大額定導通電阻值為 2.4 毫歐,該器件將低傳導損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結合。最大結到外殼熱阻為 1.5°c/w,而標準 so-8 提供的結到腳(junction-to-foot)熱阻為 16°c/w。除 or-ing 外,其目標應用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風冷裝置的實施,先前推出的采用 polarpak® 封裝的 sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面
2.8毫歐。除or-ing應用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導更多電流,從而可減少應用所需的器件數。在需要冗余電路的交流或直流開關模式電源中,這可實現通過12v的軌電壓拓撲結構增加功率密度。 為在靜止空氣環境中實現最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結合。最大結到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導通電阻。在1