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卓芯微電子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基產品rcrh010fa 和rcrh003fb。p溝道增強型場效應管采用高密度dmos生產工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8v的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用low vf工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產品主要應用在充電電路，dc/dc 轉換器和led控制電路。整個器件在正向導通時具有很低的正向壓降，不僅滿足使用usb接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統的能效。 這兩款產品已廣泛應用于手機充電線路部分，主要適用于基于mtk平臺、adi平臺、spreadtrum平臺以及部分ti平臺和infineon平臺的方案中。其基本電路如圖所示： 電源管理器件通過控制柵極電壓來控制充電電流，肖特基二極管可防止電流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm)，相比同類產品，具有以下優勢： 采用了更薄的封裝，適用于超薄機型設計； 在器件腹部增加了散熱片，大幅提升器件額定
卓芯微電子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基產品rcrh010fa和rcrh003fb。p溝道增強型場效應管采用高密度dmos生產工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8v的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用lowvf工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產品主要應用在充電電路，dc/dc轉換器和led控制電路。整個器件在正向導通時具有很低的正向壓降，不僅滿足使用usb接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統的能效。 這兩款產品已廣泛應用于手機充電線路部分，主要適用于基于mtk平臺、adi平臺、spreadtrum平臺以及部分ti平臺和infineon平臺的方案中。其基本電路如圖所示： 電源管理器件通過控制柵極電壓來控制充電電流，肖特基二極管可防止電流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm)，相比同類產品，具有以下優勢： ·采用了更薄的封裝，適用于超薄機型設計； ·在器件腹部增加了散熱片
卓芯微電子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基產品rcrh010fa 和rcrh003fb。p溝道增強型場效應管采用高密度dmos生產工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8v的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用low vf工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產品主要應用在充電電路，dc/dc 轉換器和led控制電路。整個器件在正向導通時具有很低的正向壓降，不僅滿足使用usb接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統的能效。 這兩款產品已廣泛應用于手機充電線路部分，主要適用于基于mtk平臺、adi平臺、spreadtrum平臺以及部分ti平臺和infineon平臺的方案中。其基本電路如圖所示： 電源管理器件通過控制柵極電壓來控制充電電流，肖特基二極管可防止電流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm)，相比同類產品，具有以下優勢： 采用了更薄的封裝，適用于超薄機型設計； 在器件腹部增加
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