NE3509M04-T2-A
14554
SOT343/1636+
Japan
NE3509M04
30000
F4TSMM/2013
原裝無(wú)鉛
NE3509M04
5000
SOT343/25+
提供BOM一站式配單服務(wù)
NE3509M04
5285
SOT/21+
軍用單位指定合供方/只做原裝,自家現(xiàn)貨
NE3509M04
8500
SOT343/2025+
原裝現(xiàn)貨
NE3509M04
5000
SOT343/23+
原裝庫(kù)存,提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
NE3509M04
6000
SOT343/23+
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
NE3509M04
3000
SOT343/11+
原裝正品熱賣,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
NE3509M04
6000
SOT343/23+
專注電子元件十年,只做原裝現(xiàn)貨
NE3509M04
526
SOT343/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
NE3509M04
927427
SOT343/22+
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
NE3509M04
3880
-/23+
原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803
NE3509M04
28800
SOT343/22+
原裝現(xiàn)貨,提供配單服務(wù)
NE3509M04
4500
SOT/24+
主營(yíng)品牌百分百原裝公司現(xiàn)貨特價(jià)支持免費(fèi)送樣
NE3509M04
95000
SOT343/2019+
原裝現(xiàn)貨配單報(bào)價(jià)
NE3509M04
5000
SOT343/25+
只做原裝,可提供技術(shù)支持及配單服務(wù)
NE3509M04
60701
SOT343/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
NE3509M04
6000
SOT343/23+
專注電子元件十年,只做原裝現(xiàn)貨
NE3509M04
48000
SOT343/24+
原裝現(xiàn)貨,可開專票,提供賬期服務(wù)
NE3509M04
24486
NA/21+
代理渠道,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
NE3509M04
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL
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NE3509M04
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL [California Eastern Labs]
NE3509M04PDF下載
NE3509M04-A
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL
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NE3509M04-A
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL [California Eastern Labs]
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NE3509M04_06
L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL
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NE3509M04_06
L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL [California Eastern Labs]
NE3509M04_06PDF下載
NE3509M04-T2
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL
NE3509M04-T2PDF下載
NE3509M04-T2
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL [California Eastern Labs]
NE3509M04-T2PDF下載
NE3509M04-T2-A
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH...
CEL
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NE3509M04-T2-A
RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 1...
NE3509M04-T2-APDF下載
了一個(gè)有0.77db噪聲系數(shù)的低噪聲放大器。 制造商們一般會(huì)給出低噪聲放大器的輸入/輸出匹配、噪聲系數(shù)、增益、穩(wěn)定性、1db壓縮點(diǎn)、二階和三階互調(diào)分量、帶外抑制,以及反向隔離等指標(biāo)。這些參數(shù)中,很多是互相依賴的,因此在有限的時(shí)間內(nèi)要滿足所有這些設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),工作會(huì)很復(fù)雜(參考文獻(xiàn)2和3)。圖1給出了一種靈活的放大器結(jié)構(gòu),它能滿足所有這些設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。 圖1,可以用gaas異質(zhì)結(jié)fet設(shè)計(jì)一款低噪聲s頻段rf放大器。 設(shè)計(jì)用microwave的office awr建立并仿真。nec的ne3509m04 gaashjfet(異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管)用作低噪聲高增益晶體管。電抗匹配的放大器輸入采用了數(shù)據(jù)表給出的最佳反射系數(shù)值,可提供低噪聲和高增益。fet設(shè)計(jì)常用的方法包括有源偏置與自舉,可防止漏源電流隨溫度而變化。而這種設(shè)計(jì)的結(jié)果是一種高性價(jià)比的小型自偏置電路,沒有給電路增加復(fù)雜性。晶體管的偏置點(diǎn)是2v的漏源電壓,漏極電流為15ma,此時(shí)晶體管提供約16.5db的可接受rf增益。 電路的另一個(gè)設(shè)計(jì)目標(biāo)是低噪聲放大器的無(wú)條件穩(wěn)定性。晶體管的內(nèi)部反饋與帶外頻率上的過高增益都是這種電路不穩(wěn)定的主要原因。