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于1lsb?？梢杂枚啻尾蓸尤缓笕∑骄姆椒p小噪聲，其代價(jià)是增加了處理器的工作負(fù)擔(dān)、提高了系統(tǒng)的復(fù)雜度和成本。5.輸出電壓溫度遲滯 該參數(shù)定義為在參考溫度下(25℃)由于溫度連續(xù)偏移(從熱到冷，然后從冷到熱)所引起的輸出電壓的變化。這一效應(yīng)將導(dǎo)致負(fù)面影響，因?yàn)樗姆戎苯优c系統(tǒng)所處環(huán)境的溫度偏移成比例。在許多系統(tǒng)中，這種誤差一般不具有可重復(fù)性，受ic電路設(shè)計(jì)和封裝的影響。例如，三引腳sot23封裝的max6001，溫度遲滯典型值為130ppm。而采用更大尺寸、更穩(wěn)定的封裝，比如so-8的max6190，該參數(shù)值只有75ppm。 6.長(zhǎng)期穩(wěn)定性 這個(gè)參數(shù)定義為電壓隨時(shí)間的變化，它主要是由封裝或系列器件中的管芯應(yīng)力或離子遷移引起的。注意保持電路板的潔凈度，這也是一個(gè)影響長(zhǎng)期穩(wěn)定性的因素，尤其是它會(huì)隨溫度和濕度的變化而變化，這一影響有時(shí)比器件內(nèi)在穩(wěn)定性的影響還要大。長(zhǎng)期穩(wěn)定性通常定義在25℃參考溫度下。 本文小結(jié) 任何系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難點(diǎn)都在于在成本、體積、精確度、功耗等諸多因素的平衡與折衷。為具體設(shè)計(jì)選擇最佳基準(zhǔn)源時(shí)需要考慮所有相關(guān)參數(shù)。有趣的是，很多時(shí)候選用較貴的元件反而使系
和max6350（3μvp-p）這些低噪音器件，他們的噪聲低于16位系統(tǒng)的1lsb。另一個(gè)方法是用過采樣，再取平均值，這個(gè)方法的缺點(diǎn)是要占用更多的處理器資資源，增加系統(tǒng)的成本。 輸出電壓溫度遲滯現(xiàn)象（thys）也是一個(gè)不能修正的誤差。thys是25℃溫度下，由于溫度從熱到冷，然后從冷到熱變化時(shí)引起的輸出電壓的變化。它的幅度與溫度變化的大小成正比。在很多情況下，thys誤差是不重復(fù)的，它與電路設(shè)計(jì)及封裝有關(guān)。例如，3腳sot23封裝的max6001的thys典型值是130ppm，但是同樣的ic（max6190）在更大，更穩(wěn)定的so-8封裝中，它的thys只有75ppm。 溫度漂移通常是可以修正的誤差，因?yàn)樗强芍貜?fù)的。高分辨率系統(tǒng)無論如何都需要補(bǔ)償。對(duì)一個(gè)5v，16位系統(tǒng)，如果要求在整個(gè)商用溫度范圍（0～70℃，以25℃為基準(zhǔn)點(diǎn)）保持±1lsb。那麼基準(zhǔn)源的漂移必須小于1ppm/℃，δv=1ppm/℃×5v×45℃=255μv。因此1ppm/℃的性能僅適用于整個(gè)商用溫度范圍內(nèi)的14位系統(tǒng)。 長(zhǎng)期穩(wěn)定性（lts）給出了某一種封裝或某類器件中潛在的硅片應(yīng)力或離子遷移的程度。注意在溫度和濕度處在極
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