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便只占用了4 個i/0 口，達到合理有效的使用f2812 片上資源的目的。12 路開出量，主要用于各種故障的跳合閘和報警使用。本系統采用由12 個i/o 口發出開出量信號，為了防止干擾引起的誤動，另外提供了1 個i/0 口實現對開出信號的開放與閉鎖功能。只有當開出信號開放時，開出量再經過達林頓型（un2003）光電隔離后輸出，驅動外部繼電器，實現保護出口動作。 2.1.3 外擴存儲模塊 為了滿足系統運行、參數定值保存、故障錄波和故障報警信息記錄的要求。該裝置外擴了一片64m 的閃存（k9k1208uom） 和256k 的ram（is61lv25616l）。f2812 的外部存儲器接口xintf 是一種非多路選通的異步總線。它包括：19 位地址線，16 位數據線，3 個片選控制線及讀寫控制線。這3 個片選線映射到5 個存儲區域，zone0,zone1,zone2,zone6和zone7.其中zone0,zone1 共用一個片選線，zone6 和zone7 共用一個片選線。且每個區都有獨立的等待狀態、選通信號建立和保持時間，都能通過編程實現設置。這便可使f2812 與一些外部存儲器之間實現無縫連接
兆字節1美元的價格限制。（4） 芯片包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決于存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1gb nand技術閃速存儲器。據稱這種flash memory可以存儲560張高分辨率的照片或32首cd質量的歌曲，將成為下一代便攜式信息產品的理想媒介。samsung采用了許多dram的工藝技術，包括首次采用0.15μm的制造工藝來生產這顆flash。已經批量生產的k9k1208uom采用018μm工藝，存儲容量為512mb。 ultranand amd與fujistu共同推出的ultranand技術，稱之為先進的nand閃速存儲器技術。它與nand標準兼容：擁有比nand技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出nand技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。 與dinor技術一樣，盡管ultranand技術具有優勢，但在當前的市場上仍以nand技術為主流。ultranand 家族的
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