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IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT [Integrated Device Technology]
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IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT [Integrated Device Technology]
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IDT71V016SA
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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x16 SRAM
ETC
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT [Integrated Device Technology]
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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分配地址塊,同時ov7649開始采集條碼圖像數據。采集完數據并送到sram中存儲后,nios開始調用譯碼程序對圖像進行譯碼。譯碼完成后,nios控制條碼信息在lcd中顯示。 530)this.width=530" border=0> 2.3 存儲器擴展模塊 該模塊包括flash、sram、cpld三個部分。其中,cpld用于存儲配置fpga的程序,flash用于存儲系統軟件,而sram用于存放動態采集到的大量條碼圖像數據。按照量化位數的不同,選用不同容量的sram作為外部擴展,這里選擇了idt71v016,它的容量是64k×16bit。 3 系統軟件的設計與實現 這里不采用現有條碼掃描大多采用的直接用模擬電路探測條碼的條空分界信號的方法,因為這種方法掃描結果將使條空分界線鈍化,降低了以后操作中信號檢測的準確性。而是將條碼圖形通過內置cmos掃描儀整個讀取,然后通過嵌入式編程完成條空分界。這種方法的譯碼準確率要高,而且采用編程的方法不會有前者存在的對掃描角度要求嚴格的問題。 二維條碼掃描器開始工作時,首先采集二維條碼圖像數據。由于實際工作中條碼圖像會出現污損等情況,所以必須對采集到的
loader將存儲在rom或flash中的程序下載至sram區并開始運行,此時仿真器不起作用。 vc33的片內存儲區在實際應用中難以滿足運行程序與存儲數據的需要,因此必須為系統擴展外部存儲區,包括靜態sram區和永久rom區。sram區在系統工作時與vc33內部存儲區結合使用,作為系統的工作區,rom區則永久保存運行程序和特定參數,系統上電時由引導程序將rom區中的程序和數據讀至sram區中。 vc33的高速特點要求擴展的sram必須有極高的存取速度,這里選用兩片64k×16bit的idt71v016 sram組成64k×32bit片外存儲區,其地址訪問時間僅為12ns,能夠滿足存取速度的要求。 由于系統只在上電和復位時訪問永久rom,對它的存取時間要求不太高,采用一片512k×16bit的am29lv800b flash rom,其訪問時間為60~120ns。flashrom可多次重復擦拭,數據保存時間長,寫入程序不需要額外的工具。瑞泰創新公司提供了專用的flash寫入程序,也可根據實際情況自己編寫,靈活性很好。 圖4是電路設計原理圖,用g20v8b進行地址選通,后面還會詳細介
bootloader將存儲在rom或flash中的程序下載至sram區并開始運行,此時仿真器不起作用。 vc33的片內存儲區在實際應用中難以滿足運行程序與存儲數據的需要,因此必須為系統擴展外部存儲區,包括靜態sram區和永久rom區。sram區在系統工作時與vc33內部存儲區結合使用,作為系統的工作區,rom區則永久保存運行程序和特定參數,系統上電時由引導程序將rom區中的程序和數據讀至sram區中。 vc33的高速特點要求擴展的sram必須有極高的存取速度,這里選用兩片64k×16bit的idt71v016 sram組成64k×32bit片外存儲區,其地址訪問時間僅為12ns,能夠滿足存取速度的要求。 由于系統只在上電和復位時訪問永久rom,對它的存取時間要求不太高,采用一片512k×16bit的am29lv800b flash rom,其訪問時間為60~120ns。flashrom可多次重復擦拭,數據保存時間長,寫入程序不需要額外的工具。瑞泰創新公司提供了專用的flash寫入程序,也可根據實際情況自己編寫,靈活性很好。 圖4是電路設計原理圖,用g20v8b進行地址選通,后面還會詳細介紹dsp