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CSD17312Q5
7048
VSONCLIP8/22+
TI現(xiàn)貨直銷(xiāo) 只做原裝
CSD17312Q5
9000
VSON8/2227+
原廠渠道可追溯 只做全新原裝
CSD17312Q5
12800
VSONCLIP8/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商/全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
CSD17312Q5
58283
QFN8/21+
低價(jià)出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十
CSD17312Q5
52000
N/A/23+
原裝現(xiàn)貨
CSD17312Q5
300000
VSONCLIP8(6x5)/23+
一級(jí)代理商可提供技術(shù)方案支持
CSD17312Q5
25000
8SON/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
CSD17312Q5
11469
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開(kāi)票
CSD17312Q5
105000
SO8/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
CSD17312Q5
8700
8SON/2023+
原裝現(xiàn)貨
CSD17312Q5
25000
8SON/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
CSD17312Q5
9400
VSONCLIP/23+
原裝現(xiàn)貨
CSD17312Q5
6500
8SON/23+
只做原裝現(xiàn)貨
CSD17312Q5
68900
SON8/-
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
CSD17312Q5
3577
DFN8/2025+
全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣(mài)
CSD17312Q5
6000
N/A/22+
原裝現(xiàn)貨，自家?guī)齑?/p>
CSD17312Q5
65428
SON8/22+
只做現(xiàn)貨，一站式配單
CSD17312Q5
5027
8SON/23+
只做原裝,專(zhuān)注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
CSD17312Q5
927427
N/A/22+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
CSD17312Q5
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
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CSD17312Q5
30V N-Channel NexFET? Power MOSFET
Texas Instruments
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我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔mosfet 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。 本文中，我們把圖1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖3 所示公開(kāi)刊發(fā)的安全工作區(qū)域（soa 曲線）部分進(jìn)行了對(duì)比。 圖1 將散熱容加到dc 電氣模擬電路上 根據(jù)csd17312q5 mosfet、引線框以及貼裝mosfet 的印制電路板（pwb） 的物理屬性，估算得到圖1的各個(gè)值。在查看模型時(shí)，可以確定幾個(gè)重要的點(diǎn)。要使增強(qiáng)型n溝道m(xù)osfet工作，要在g、s之間加正電壓vgs及在d、s之間加正電壓vds，則產(chǎn)生正向工作電流id。改變vgs的電壓可控制工作電流id。若先不接vgs（即vgs＝0），在d與s極之間加一正電壓vds，漏極d與襯底之間的pn結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導(dǎo)電。如果在柵極g與源極s之間加一電壓vgs。此時(shí)可以將柵極與襯底看作電容器的兩個(gè)極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當(dāng)加上vgs時(shí)，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和p型襯底界面上感應(yīng)出負(fù)電荷。這層感應(yīng)的負(fù)電荷和p型襯底中的多數(shù)載流子（空穴
在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 mosfet 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。 本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開(kāi)刊發(fā)的安全工作區(qū)域（soa 曲線）部分進(jìn)行了對(duì)比。 圖 1 將散熱容加到 dc 電氣模擬電路上 根據(jù) csd17312q5 mosfet、引線框以及貼裝 mosfet 的印制電路板 (pwb) 的物理屬性，估算得到圖 1 的各個(gè)值。在查看模型時(shí)，可以確定幾個(gè)重要的點(diǎn)。pwb 到環(huán)境電阻（105oc/w）為到環(huán)境的最低電阻通路，其設(shè)定了電路的允許 dc 損耗。將溫升限制在 100oc，可將電路的允許 dc 損耗設(shè)定為 1 瓦。其次，存在一個(gè) 10 秒鐘的 pwb 相關(guān)時(shí)間恒量，所以其使電路板完全發(fā)熱的時(shí)間相當(dāng)長(zhǎng)。因此，電路可以承受更大的電脈沖。例如，在一次短促的脈沖期間，所有熱能對(duì)芯片熱容充電，同時(shí)在更小程度上引線框?qū)崛莩潆姟Ｍㄟ^(guò)假設(shè)所有能量都存儲(chǔ)于裸片電
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