帶有此標記的料號:
1. 表示供應商具有較高市場知名度,口碑良好,繳納了2萬保證金,經維庫認證中心嚴格審查。
2. 供應商承諾此料號是“現貨” ,如果無貨或數量嚴重不足(實際數量不到顯示數量一半),投訴成立獎勵您500元。
1000
SOT23/21+
四雄微原裝價優實在

1.表示供應,口碑良好,繳納了2萬保證金,經維庫認證中心嚴格審查。
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3000
SOT233/22+
公司100%全新原裝現貨
帶有此標記的料號:
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12000
SOT23/18+
進口原裝現貨
帶有此標記的料號:
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SOT23/24+
代理有售樣品優勢價格
9000
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-
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QQ詢價原裝真實庫存現貨熱賣
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BSS84AKM
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BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
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BSS84
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
CET
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FAIRCHILD
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SIPMOS Small-Signal Transistor (P ch...
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL ...
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PHILIPS
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ZETEX [Zetex Semiconductors]
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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utput.的關系可通過公式1表示: (1) rshunt選擇:rshunt的最大值由最大電流時的容許功耗決定,而最小值由運算放大器的輸入范圍和誤差預算決定。一般情況下,為了監控10a以上的電流,rshunt的值在1mω至10mω之間。如果單個電阻無法滿足功耗要求,或者對pcb而言太大,則rshunt可能必須由多個電阻并聯構成。 rg選擇:rg用于將與高端電流成比例的電流轉換到低端。rg的最大值由p溝道mosfet的漏極-源極漏電流決定。假設使用常見的p溝道增強型垂直dmos晶體管bss84,那么各種條件下的idss最大值如表1所示。 table表1.漏極-源極漏電流 以ldmos漏極電流監控為例,共模電壓為28v,idss為100na。通過rl的最小電流的鏡像至少應為idss的20倍。因此 rg的最小值由最大負載電流時的容許鏡像電流功耗決定: rbias選擇:通過rbias的電流經過分流產生運算放大器的靜態電流和基本恒定的齊納二極管電壓vz,(它決定運算放大器的電源電壓)。當放大器電流isupply,實際上為0且,vin為最大值時,應確保流過齊納二
BSS84DW內部電路如下圖所示:

產品型號:BSS84LT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):50
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):5000
最大漏極電流Id(on)(A):0.130
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信號P溝道SOT23封裝場效應管
價格/1片(套):¥.70
產品型號:BSS84LT1
源漏極間雪崩電壓VBR(V):50
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):10000
最大漏極電流Id(on)(A):0.130
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信號P溝道SOT23封裝場效應管
價格/1片(套):¥.70
請問有沒有比bss84便宜的pmos管作個設計,用到mos管。以前的方案用的時2n7002(n溝道),后來發現用pmos管性能更好,但現在找到的最便宜的pmos是bss84(2毛)比2n7002(8分)貴的多。請問大家有沒有比bss84便宜的pmos管。我們的性能要求不高 做小信號開關用的耐壓>= 10v 導通電流>1ma vgs(th) <= 2.5v. 其他參數都影響不大。謝謝!
找pmos管要比bss84便宜的作個設計,用到mos管。以前的方案用的時2n7002(n溝道),后來發現用pmos管性能更好,但現在找到的最便宜的pmos是bss84(2毛)比2n7002(8分)貴的多。請問大家有沒有比bss84便宜的pmos管。我們的性能要求不高 做小信號開關用的耐壓>= 10v 導通電流>1ma vgs(th) <= 2.5v. 其他參數都影響不大。謝謝!
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找比bss84便宜的pmos管作個設計,用到mos管。以前的方案用的時2n7002(n溝道),后來發現用pmos管性能更好,但現在找到的最便宜的pmos是bss84(2毛)比2n7002(8分)貴的多。請問大家有沒有比bss84便宜的pmos管。我們的性能要求不高 做小信號開關用的耐壓>= 10v 導通電流>1ma vgs(th) <= 2.5v. 其他參數都影響不大。謝謝!
試試2n7002 (n溝道)bss84 (p溝道)