BR601
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
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HY
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC [EIC discrete Semiconductors]
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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
HY [HY ELECTRONIC CORP.]
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%; ★充電過程分為激，快充和浮充； ★具有溫度檢測功能，可根據電池和環境溫度改變充電策略； ★具有友好的人機界面，可對充電策略進行調整； ★散熱方式：風冷。 主電路的整體框圖： emi濾波電路： c1和l1組成第一級emi濾波 c2、c3、c4與l2組成第二級濾波。 l1,l2為共模電感 整流及功率因數校正電路： 整流橋： 流經二級管電流id=3.55a 二極管反向電壓v=373v 考慮實際工作情況故選br601（35a/1000v）； 功率因數校正： 方案：boost型拓撲結構具有輸出電阻低，硬件電路及控制簡單，技術成熟，故選用boost結構； 芯片選擇：ti公司的ucc28019可控制功率輸出為100w-2kw,功率因數可提高到0.95,符合設計要求，故此次設計選用該款芯片； 電路圖 dc-dc主拓撲結構： 方案選擇： 在開關管承受峰值電流和電壓的情況下，全橋輸出功率為半橋的兩倍，并切在功率大于500w時，全橋相對于半橋更合適，故本次設計采用全橋拓撲。
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