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497
NA/1+
全新原裝現(xiàn)貨，實單來談
AT29C512-70TU
2865
TSOP/1608+
特價特價全新原裝現(xiàn)貨
AT29C512-70TU
30000
PLCC/22+
全新原裝
AT29C512-70JI
100
+/PLCC32
原裝現(xiàn)貨，支持實單
AT29C512-70JU
256
PLCC32/1115+
一定原裝/國外現(xiàn)貨
AT29C512-70TU
30000
PLCC/19+
全新原裝
AT29C512-70JC
149
PLCC32/04+
現(xiàn)貨庫存快速報價/質(zhì)量保證，量大可供
AT29C512-12PC
100
DIP/14+
原裝現(xiàn)貨原裝
AT29C512-12TC
50
TSOP/9423+
原裝現(xiàn)貨
AT29C512-90JU
955
N/S/24+
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AT29C512
28500
TSSOP/22+
匯融科技/價格給力/實單必成
AT29C512
20000
DIP/22+
原裝現(xiàn)貨，實單支持
AT29C512
5000
DIP/23+
原裝現(xiàn)貨，實單支持
AT29C512
42100
N/A/24+
只做原裝，提供一站式BOM表電子配單服務(wù)
AT29C512
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DIP/25+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
AT29C512
6500
DIP/23+
只做原裝現(xiàn)貨
AT29C512
5000
DIP/22+
原裝現(xiàn)貨，實單來談，配套服務(wù)
AT29C512
5000
N/A/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
AT29C512
7300
PLCC/23+
原裝現(xiàn)貨
AT29C512
5000
DIP/23+
原裝現(xiàn)貨，實單支持
AT29C512
512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Mem...
ATMEL
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AT29C512
512K 64K x 8 5-volt Only CMOS Flash ...
ATMEL [ATMEL Corporation]
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AT29C512
512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Mem...
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AT29C512-12
512K 64K x 8 5-volt Only CMOS Flash ...
ATMEL
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AT29C512-12
512K 64K x 8 5-volt Only CMOS Flash ...
ATMEL [ATMEL Corporation]
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AT29C512-15
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AT29C512-90
512K 64K x 8 5-volt Only CMOS Flash ...
ATMEL
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，支持在系統(tǒng)編程，最高工作頻率達(dá)12mhz[3]。在本系統(tǒng)中，它負(fù)責(zé)完成a/d器件的初始化，地址發(fā)生器、數(shù)據(jù)存儲器的控制，以及計數(shù)統(tǒng)計和報警觸發(fā)。 a/d轉(zhuǎn)換器選用philips公司的saa7111，其初始化通過i2c總線進(jìn)行。利用at90s2313的兩個通用i/o引腳，就可以產(chǎn)生i2c總線的時序信號，完成對saa7111的初始化。片內(nèi)的16位計數(shù)器用以進(jìn)行計數(shù)統(tǒng)計，并產(chǎn)生中斷報警信號。閾值判別和臨界面積的設(shè)定以及dram參考幀的定期刷新都通過對at90s2313的編程來實現(xiàn)。 at29c512高密度flash 本系統(tǒng)根據(jù)差值數(shù)據(jù)寬度的需要，選擇at29c512（64k×8）boot flash，其讀周期長度為70ns，完全滿足實時處理的要求。選用flash的優(yōu)點是可以進(jìn)行在系統(tǒng)改寫，這在使用環(huán)境復(fù)雜，需要大量動態(tài)調(diào)整處理的情況下是非常有利的。可以通過at90s2313對flash中的差值算法進(jìn)行修改以適應(yīng)實際環(huán)境的需要。 atf1500a高密度cpld dram的操作時序信號包括行、列地址產(chǎn)生、刷新控制、讀寫控制等全部由地址信號發(fā)生器來產(chǎn)生，這里選用了atf1
接到c5402的復(fù)位信號引腳/rs上，由用戶程序通過pci2040控制c5402的復(fù)位，并且把c5402的/hint引腳和/int2引腳相連接，保證接收中心的dsp在復(fù)位時正確選擇hpi自舉加載的方式。異步串行接口及eprom模塊設(shè)計異步串行通信接口模塊采用max232將c5402輸出的ttl電平轉(zhuǎn)換為符合rs-232標(biāo)準(zhǔn)的電平，可以與遵循該標(biāo)準(zhǔn)的器件進(jìn)行通信。本方案利用了c5402的緩沖串口mcbsp0的兩個引腳——dr0和dx0作為通用的輸入和輸出引腳，用來模擬異步串口。eprom芯片采用了at29c512，其存儲容量為。在用戶端要把dsp的復(fù)位信號/rs通過開關(guān)和dvdd連接，手動地產(chǎn)生復(fù)位信號，并斷開 /hint和/int2的連接，以便在復(fù)位時程序可以由eprom正確地加載。 系統(tǒng)軟件設(shè)計信號檢測算法流程設(shè)采樣率為f，碼元速率為r，則對每個碼元采樣得到的點數(shù)為：n=f/r。在dsp的ram中設(shè)置一個滑窗，其長度為n，用來保存采樣結(jié)果，每次采樣后用新樣本覆蓋滑窗中最老的樣本，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的更新。在ram中預(yù)先保存了對導(dǎo)頻信號進(jìn)行數(shù)字化處理所得到的n點本地導(dǎo)頻序列，以及對mfsk信號進(jìn)行數(shù)字化處理所
某節(jié)點發(fā)送數(shù)據(jù)時，它向sja1000的一些緩沖器寫數(shù)據(jù)和命令。數(shù)據(jù)通過sja1000處理后，合成can幀格式，通過6n137至82c250，由82c250的差分端canh和canl傳送到物理總線。外部節(jié)點發(fā)送過來的數(shù)據(jù)通過82c250經(jīng)光電隔離器6n137后被sja1000接收，存放在sja1000相應(yīng)的寄存器中。c8051f120就可以讀取這些can幀格式數(shù)據(jù)。lon模塊由mcl43150、ftf-10a、mc145407以及外擴(kuò)sram儲存器is61c256ah-15n和外擴(kuò)flash存儲器at29c512組成。mc143150是lonworks控制芯片，含有l(wèi)ontalk協(xié)議的固態(tài)軟件，主要用于lonworks數(shù)據(jù)的處理。ftt-10a是lonworks收發(fā)器，它是一種變壓器耦合收發(fā)器，支持網(wǎng)絡(luò)的自由拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，作為lon網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)介質(zhì)的接口。mc145407是電平轉(zhuǎn)換芯片，負(fù)責(zé)mc143150與rs232之間的電平轉(zhuǎn)換。當(dāng)c8051f120要向mc143150發(fā)送數(shù)據(jù)時，c8051f120把數(shù)據(jù)發(fā)送到串口緩沖區(qū)，通過mc145407將i／o引腳輸入的ttl電平和輸出的cmos電平轉(zhuǎn)換為eia232
線標(biāo)準(zhǔn)，包括ata、utopia、epp和pcmcia。它完全適用于usb2.0，并向下兼容usb1.1。 3150芯片選用toshiba公司生產(chǎn)的tmpn3150。3150片內(nèi)存儲器的地址范圍是e800h～fffh，包括2kb的sram和512b的eeprom。3150可以外接存儲器，如ram、rom、eeprom或flash，其地址范圍是0000h～7ffh。根據(jù)一般應(yīng)用的性能和成本要求，3l50的外部存儲器采用flash和ram。flash選用is61c256ah-15n，ram選用at29c512。61c256和29c512的地址范圍通過邏輯門電路根據(jù)neuron芯片的地址線和控制線e來確定。51與3l50采用3150的并口通信方式，將neuron芯片的io0～io7作為8根數(shù)據(jù)線與51cpu的pb（pb0-pb7）口相連-108作為片選信號線e§）與51cpu的pco口相連．io9作為數(shù)據(jù)讀/寫信號線(r/w)與51cpu的pc6口(寫信號)相連。io10作為握手信號線(hs)與51cpu的pc1口相連。 為提高增加接口卡的可靠性及穩(wěn)定性，本設(shè)計增加了一個鎖存器，完成復(fù)位接口的
1.1 硬件技術(shù)背景 單片機(jī)的頻率越來越高，ram的訪問速度也來也快，但單片機(jī)系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。 目前，使用的主流單片機(jī)有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可見，sdram，sram的速度和單片機(jī)是匹配的，甚至比單片機(jī)的速度更快一點，不需要單片機(jī)插入等待狀態(tài)。而flash的訪問頻率則比單片機(jī)慢2~6倍，單片機(jī)往往要通過插入多個等待狀態(tài)來和它相匹配，況且flash多為8位，而當(dāng)前單片機(jī)多為16，32位，更多的降低了單片機(jī)的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問速度，擴(kuò)展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機(jī)的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想
石玉澤引 言：1 問題的提出1.1 硬件技術(shù)背景 單片機(jī)的頻率越來越高，ram的訪問速度也來也快，但單片機(jī)系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。目前，使用的主流單片機(jī)有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可見，sdram，sram的速度和單片機(jī)是匹配的，甚至比單片機(jī)的速度更快一點，不需要單片機(jī)插入等待狀態(tài)。而flash的訪問頻率則比單片機(jī)慢2~6倍，單片機(jī)往往要通過插入多個等待狀態(tài)來和它相匹配，況且flash多為8位，而當(dāng)前單片機(jī)多為16，32位，更多的降低了單片機(jī)的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問速度，擴(kuò)展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機(jī)的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事
or 4.5v - 5.5v read and write flash, bottom boot 5v, x8 small sectored flash : at29c256 (18 pages, revision r, updated 9/06)256k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c257 (16 pages, updated 9/97)256k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c512 (18 pages, revision h, updated 2/05)512k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c010a (18 pages, revision h, updated 2/05)1m bit, 5-volt read and 5-volt write flash at29c020 (17 pages, revision q, updated 11/05)2m bit, 5-volt read and 5-vol
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