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礙物下面的液位進(jìn)行測(cè)量。 對(duì)于這樣復(fù)雜結(jié)構(gòu)的過(guò)程罐，即使是最有經(jīng)驗(yàn)的工程師都不會(huì)有充足的信心。所以，這次實(shí)驗(yàn)，無(wú)論是客戶還是作為西門子來(lái)說(shuō)，都沒(méi)有一定成功的把握。 分析了客戶的實(shí)際情況后，發(fā)現(xiàn)安裝位置的選擇非常重要，最后選擇的位置是在近圓心的位置，離圓心 58~60cm 的人孔，之所以不選擇中心位置，主要是為了避開(kāi)中間的加熱橫管形成的固定干擾影響。 在人孔上臨時(shí)安裝了 lr400 后，上電，在稍稍旋轉(zhuǎn)了一個(gè)角度 后，令人驚奇的發(fā)現(xiàn)，lr400 能測(cè)量到自雷達(dá)液位計(jì)以下約 6.8m 的目標(biāo)，用投尺從安裝位置測(cè)量罐的高度，測(cè)得 7.7m，也就是說(shuō)lr400 已經(jīng)“突破”兩根橫管和第一層的圓形加熱盤管的影響，測(cè)量到了最底部的盤管。在稍后的注水過(guò)程中，lr400 在全過(guò)程中的表現(xiàn)依然穩(wěn)定且準(zhǔn)確。用 pdm 全程記錄了 lr400 整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的回波圖形發(fā)現(xiàn)，水位的回波信號(hào)非常強(qiáng)，能夠從回波圖形中看到加熱盤管的干擾存在，但基本上對(duì)水位的回波信號(hào)的影響不大。 整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)后，客戶非常滿意 lr400 的表現(xiàn)，也對(duì) lr400 產(chǎn)生了很大的興趣。雖然，由于種種原因無(wú)法進(jìn)一
在c5中的能量繼續(xù)傳給負(fù)載。使得vrect=vc5副邊高電壓時(shí)間大于原邊，如圖3所示。其中dlt為傳導(dǎo)損失時(shí)間；dbt為次級(jí)提升時(shí)間；ts為開(kāi)關(guān)周期。 因?yàn)閐bt>dlt，所以副邊電壓占空比大于原邊。采用新拓?fù)潆娐分谱髁艘慌_(tái)功率為1.2kw，頻率為100khz的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。電路的主要參數(shù)為：輸入直流電壓200v；輸出直流電壓48v；輸出最大電流25a；主開(kāi)關(guān)管igbt (g4pc50fd)；嵌位開(kāi)關(guān)管mosfet(irf44)；變壓器原邊與副邊之比為20：7；變壓器的漏感2.4m；嵌位電容6.8m；輸出濾波電容470m；輸出濾波電感39.2m；整流二極管為bqy28。該樣機(jī)的最大效率可達(dá)到94.2%。 結(jié)語(yǔ)本文提出了一種新穎的副邊帶有有源嵌位電路的zvzcs-fb-pwm變換器，有效地解決了zvs-fb-pwm變換器存在的環(huán)流問(wèn)題，提高了電路的效率，增加了變換器的占空比，并且可以使電路的功率大于10kw。本拓?fù)湟泊嬖谝恍┤秉c(diǎn)，如嵌位電路的開(kāi)關(guān)管工作在硬關(guān)斷狀態(tài)，這有待于進(jìn)一步地研究和改進(jìn)。■ 參考文獻(xiàn)1 張占松, 蔡宣三. 開(kāi)關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì). 北京：電子工業(yè)出版社, 20012
本和空間，包括兩個(gè)分立mosfet之間的pcb間隙和標(biāo)注面積。此外，在更低電流和更低電壓應(yīng)用中替換so-8器件還可以提高效率。 一片powerpak 1212-8或so-8的導(dǎo)通電阻可以分別低至5m或4m。然而，siz710dt的低邊channel 2 mosfet利用了非對(duì)稱結(jié)構(gòu)在優(yōu)化空間上的效果，在10v和4.5v下的導(dǎo)通電阻低至3.3m和4.3m，在+25℃和+70℃下的最大電流為30a和24a。另外，高邊channel 1 mosfet的導(dǎo)通電阻也有改善，在10v和4.5v下分別為6.8m和9.0m。 由于兩個(gè)mosfet已經(jīng)在powerpair封裝內(nèi)部連接，布線變得更加簡(jiǎn)單，同時(shí)也減小了pcb印制的寄生電感，提高了效率。此外，siz710dt的引腳進(jìn)行了精心布置，輸入引腳排在一側(cè)，輸出引腳排在另一側(cè)。 器件通過(guò)rg和uis的所有測(cè)試，符合rohs指令2002/95/ec，并滿足iec 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定。 器件規(guī)格表： 通道vdsvgsrds(on) @ 10 vrds(on) @ 4.5 vqg (typ)id @ ta = 25 °ci
。 這個(gè)“冬眠驅(qū)動(dòng)”可以將ram的快照信息寫入到閃存里形成鏡像，而不是寫到硬盤里，據(jù)悉它能夠保存50%的ram信息。warp 2 可以保存多重系統(tǒng)的ram快照，以給重啟提供干凈的啟動(dòng)環(huán)境，或者啟動(dòng)時(shí)直接讀取之前保存的ram 鏡像，這樣就能加快啟動(dòng)速度。 他們的測(cè)試環(huán)境是使用arm cpu，運(yùn)行warp 2的系統(tǒng)，當(dāng)然warp 2里包含linux，x顯示子系統(tǒng)，窗口管理器twm，3個(gè) xterm命令行工具。它啟動(dòng)的是一個(gè)18.3mb的ram鏡像，花費(fèi)了2.97秒。而在同樣的環(huán)境下，啟動(dòng)6.8m的ram 鏡像需要3.17秒。 歡迎轉(zhuǎn)載，信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)（j71x6.cn）
格的fpga產(chǎn)品。對(duì)于許多高速設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，serdes則是核心所在。ecp3fpga系列擁有符合xaui抖動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)的多協(xié)議3.2gserdes、ddr3存儲(chǔ)器接口、dsp功能、高密度的片上存儲(chǔ)器，以及149k的lut。 ecp3fpga系列有5個(gè)成員，都能提供符合標(biāo)準(zhǔn)的多協(xié)議3gserdes，并且在保證低成本的同時(shí)還集成了ddr3存儲(chǔ)器接口、高性能級(jí)聯(lián)dspslice，這對(duì)于高性能射頻、基帶和圖像信號(hào)處理等應(yīng)用大有裨益。此外，ecp3還能處理1gbps速率的輸入和輸出信號(hào)，以及帶有6.8m位的嵌入式存儲(chǔ)器。邏輯密度的范圍從17klut到149klut，用戶i/o數(shù)目586個(gè)?！癳cp3主要定位于包括一些主流應(yīng)用及對(duì)成本敏感的市場(chǎng)應(yīng)用，如企業(yè)網(wǎng)絡(luò)，存儲(chǔ)，視頻，無(wú)線基站以及有線城域接入設(shè)備等?！眗iley表示。 “實(shí)際上，lattice已經(jīng)在驅(qū)動(dòng)中端fpga市場(chǎng)的成長(zhǎng)。并且，中端fpga也已經(jīng)在大量新興應(yīng)用中使用?！眑attice大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理梁成志表示，“高端fpga雖然仍有成長(zhǎng)空間，但對(duì)于大部分應(yīng)用來(lái)說(shuō)，這已經(jīng)是過(guò)去時(shí)。他們的價(jià)格過(guò)于昂貴，并且還消耗了大量的功耗。
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