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保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
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TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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功率mosfet與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，可以說(shuō)速度較快，其原因是由于用于on的時(shí)間。tf及下降時(shí)間較快。一般的是努力加快上升時(shí)間ton及下降時(shí)間幻，但實(shí)際上輻更重要。 mosfet是雙極型的沒(méi)有載流子積蓄時(shí)間，因此可以高速，但它用于off的時(shí)間。存在，這個(gè)是低速的。 功率mosfet的開(kāi)關(guān)特性根據(jù)門驅(qū)動(dòng)電路、條件變化很大，所以要進(jìn)行高速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，需要很多的知識(shí)。 圖1是將高耐壓的功率mosfet 2sk894(500v、8a)，采用和前面的晶體管相同條件地進(jìn)行開(kāi)關(guān)時(shí)的電路。門極電阻fg為100ω(此值并不是最適合的，這里是為了比較測(cè)試)。 圖1 功率mosfet的開(kāi)關(guān)特性測(cè)定電路 mosfet的門驅(qū)動(dòng)電路，如果不能在門極一源極之間對(duì)電容ciss進(jìn)行高速地充放電，則不能活用fet的高速開(kāi)關(guān)特性。圖2是開(kāi)關(guān)時(shí)漏極輸出波形和門極驅(qū)動(dòng)輸人電流ig(門極電壓vgsgs≈7v)的波形。注意當(dāng)vgs＝0v后，mosfet到達(dá)off的時(shí)間toff拖長(zhǎng)820ns。 圖2 zsk894的開(kāi)關(guān)特性 on/off的過(guò)渡時(shí)間(與rg和ciss有關(guān))里，流過(guò)約50ma的門極
8.0A/500V
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