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的非理想特性之一，用絕緣電阻（ir）來描述。對于給定的介質材料，其有效并聯電阻與電容成反比。這是因為電阻與介質的厚度成正比，與電容面積成反比。電容與面積成正比，與分開的距離成反比。因此，用于量化電容器漏電的常用單位是電容與泄漏電阻的積，通常用兆歐姆-微法拉（mω f）表示。 絕緣電阻值取決于電介質 理論上，電容器的電介質可由任意非導電物質組成。但在實際應用中，使用的材料要最適于電容器的功能。例如聚苯乙烯、聚碳酸酯或teflon等聚合物介質。根據所使用的具體材料和純度，其絕緣電阻范圍可從104mω？μf至108mωμf.例如，1000pf的teflon電容器具有高于1017ω的絕緣電阻，就記為>108mωμf.諸如x7r或npo等陶瓷的絕緣電阻范圍可從103mωμf至106mωμf.電解電容器（例如鉭或鋁）的泄漏電阻相對低得多，通常從1mωμf至100mωμf.例如，4.7μf鋁電容如果規定為50mωμf,那么其絕緣電阻至少為10.6mω。 電容器漏電的測試方法 圖2示出了電容器漏電測試的常規電路。在這個電路中，在電容器（cx）上施加一段延遲時間的電壓后用安培表測量電流。
---sia923edj。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型powerpak sc-70封裝，具有8v柵源電壓和迄今為止雙芯片p溝道器件所能達到的最低導通電阻。 新的 sia923edj可用于dc-dc轉換器，以及智能手機、mp3播放器、平板電腦和電子書等手持設備中的充電和負載開關。更低的mosfet導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在這些設備中節省電能并延長兩次充電之間的電池壽命。 sia923edj在4.5v、2.5v、1.8v和1.5v時分別具有54mω、70mω、104mω和165mω的超低導通電阻。具有8v柵源電壓等級且性能最接近的p溝道器件在4.5v、2.5v、1.8v和1.5 v時的導通電阻為60mω、80mω、110mω和170mω，分別比sia923edj高10%、12%、5%和3%。 mosfet在1.5v電壓下就能導通，因而能夠配合手持設備中常用的電壓更低的柵極驅動器和更低的總線電壓一起工作，不需要在電平轉換電路上浪費空間和成本。sia923edj的低導通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2m
間和成本。sia923edj的低導通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm powerpak sc-70封裝只有tsop-6的一半大小，而導通電阻則相近或更佳，并且在相同環境條件下的散熱多65%。 新款mos管采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型powerpak sc-70封裝，具有8v柵源電壓和迄今為止雙芯片p溝道器件所能達到的最低導通電阻。sia923edj在4.5v、2.5v、1.8v和1.5v時分別具有54mω、70mω、104mω和165mω的超低導通電阻。具有8v柵源電壓等級且性能最接近的p溝道器件在4.5v、2.5v、1.8v和1.5 v時的導通電阻為60mω、80mω、110mω和170mω，分別比sia923edj高10%、12%、5%和3%。 sia923edj經過了100%的rg測試，符合iec 61249-2-21的無鹵素規范及rohs指令2002/95/ec。mosfet的典型esd保護達2500v。 sia923edj與此前發布的具有12v最大柵源電壓等級的20v sia921edj p溝
與"體積電阻"(volume resistance) ，再代入下列公式即可分別求得兩種"電阻率"：1.表面電阻率 r’＝r’ p／d4；r’為測之表面電阻值； p為接地銅盤的周長(cm) ；d4為環與盤兩者之間的空距寬度。2.體積電阻率 r＝ra／t；r為實測體積電阻值； t為板材平均厚度(cm) ；a為銅環之面積。按美軍板材規范mil-s-13949h／4d(1993. 10)的規定，常用板材 fr-4表面電 阻率之下限為104mω，體積電阻率之下限為106mω。 70、taper pin gauge錐狀孔規 是一種逐漸變細的錐狀長形針狀體，可插入通孔檢測多種孔徑，并有表面讀值呈現所測數據，堪稱甚為方便。 71、taber abraser泰伯磨試器 是利用兩個無動力的軟質砂輪，將之壓附在被試磨的樣板表面上，而此樣板則另放置在慢速旋轉的圓形平臺上。當開動馬達水平轉動時，該樣板的水平轉動會驅使兩配重的砂輪做互為反動的轉動，進而對待試驗的表面，在配重壓力下進行磨試。例如在已印綠漆的 ipc-b-25 小型試
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