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關于芯片內部插入電容的計算 (數字芯片內部的一點模擬電路） |
| 作者：eestone 欄目：IC設計 |
代發一個朋友的問題： 假如芯片內置VR（voltage REGULATOR )，不允許片外接電容來配合。VR輸出2.5v, VR要求電流從1~50MA的上升時間大于300ns時，VR電壓才不會明顯波動。 假設要使VR因電流變化導致的電壓波動控制在0.4v以內，在這種情況下，芯片內部電容如何加？加多大比較合適？如何計算出這個適當的電容值。 （假設芯片存在電流從1~50MA的變化，且變化時間快，變化前后電流消耗波動不大，即50MA電流將維持一段時間） 主要是因為一個數字芯片內部要加一個VR IP，所以要涉及一些模擬的知識。而我們都是做數字芯片的，對模擬基本上完全不懂了，希望懂行的朋友指點一二。 先行謝過！ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： yezeg 于 2007/1/31 10:23:00 發布：
查看最基本的電容公式 Uc=(1/C)*I*t<0.4 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： eestone 于 2007/1/31 20:40:00 發布：
謝謝 yezeg 雖然還是不明白 :( |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： bangzhu 于 2007/1/31 22:47:00 發布：
能否把圖發上來 電容很浪費面積,芯片內置電容容量一般非常小,一般都在數十pF以內,要內置電容,都是專用的,是需要結合實際電路才能算出,VR電路一般都是自偏置穩壓電路,然后通過運放緩沖,或者是直接MOS管緩沖,加大它的驅動能力,最后送給電路供電,配置電容,要結合實際電路,希望樓主能將電路給出,大家才好幫忙哦 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： paley 于 2007/2/8 22:33:00 發布：
有專門的片內REGULATOR 有專門的片內REGULATOR、需要的話可聯系提供混合信號IP的廠家。。。 |
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