IXFY26N30X3是由IXYS公司生產的高性能功率MOSFET。該型號采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為300V，適合中高壓電力電子設備使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、電機驅動器以及各類需要高效能開關元件的工業控制系統。在實際應用中，建議根據具體電路需求選擇合適的柵極電阻值以優化開關速度與EMI性能，并確保散熱設計合理，避免因過熱導致器件損壞。此外，在進行PCB布局時應盡量縮短源極引線長度以減少寄生電感影響。

IXFY26N30X3 規格參數

現有數量
327現貨
系列
HiPerFET?, Ultra X3
包裝
管件
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
26A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
66 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 500μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1465 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

芯知識

5.4萬

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廣東微爾科技有限公司

IXFY26N30X3推薦型號

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IXFY26N30X3

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IXFY26N30X3

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